三星电子新半导体研发中心今日动工，李在镕获特赦后首个公开日程

8 月 19 日消息，今天，三星在位于韩国京畿道龙仁市的器兴园区内，举行了新的半导体研发（RD）中心动工仪式。

该研究中心占地面积约 109000 平方米，其建立旨在推进三星的内存、系统半导体和代工技术。

这是李在镕在光复节获特赦重返经营一线后的第一个公开日程。

他表示，公司器兴半导体厂破土动工已过 40 年，今天在此再次开始新的挑战。没有对研发的大胆投资就不会有如今的三星半导体，让我们秉承“重视技术、先行投资”的传统，以前所未有的全新技术创造未来。

据介绍，该园区是三星电子自 2014 年之后时隔 8 年在国内新建研发中心。三星电子相关人士表示，若建成具备尖端设备的研发中心，有望缩短新一代产品研发时间，提升半导体质量。

三星电子表示：他们计划到 2028 年投资 20 万亿韩元（约 1026 亿元人民币）建设新设施，将利用新综合体作为系统芯片的研究中心。到 2025 年中心综合体将拥有独家装配线。